Антава

ONSEMI

Транзистор FGB20N60SFD-F085

FGB20N60SFD-F085
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
20 A
Рассеиваемая мощность
83 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGB20N60SFD-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current20 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.