ONSEMI

Транзистор FGAF40N60UFTU

TO3PFИзображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600 V
Collector current: 20 A
Рассеиваемая мощность: 40 W
Корпус: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FGAF40N60UFTU
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	600 V
Collector current	20 A
Рассеиваемая мощность	40 W
Корпус	TO3PF
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	160 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	77nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF

Документация

Документы пока не предоставлены.