ONSEMI

Транзистор FGAF40N60SMD

TO3PFИзображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600 V
Collector current: 40 A
Power dissipation: 58 W
Корпус: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FGAF40N60SMD
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	600 V
Collector current	40 A
Power dissipation	58 W
Корпус	TO3PF
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	120 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	119nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 58W; TO3PF

Документация

Документы пока не предоставлены.