Антава

ONSEMI

Транзистор FGA60N65SMD

FGA60N65SMD
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
TO3PN
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 67 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 222,57 ₽

Сумма · с НДС 22%1 222,57 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 222,57 ₽
от 31 092,31 ₽
от 10928,56 ₽
от 30785,27 ₽
от 120722,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGA60N65SMD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO3PN
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current180 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge284nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN

Документация

Документ производителя