ONSEMI
Транзистор FGA40T65SHD
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 134 W
- Корпус
- TO3P
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 395 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%732,88 ₽
Сумма · с НДС 22%732,88 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 732,88 ₽ | |
| от 10 | 519,20 ₽ | |
| от 30 | 421,73 ₽ | |
| от 120 | 402,99 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FGA40T65SHD |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 134 W |
| Корпус | TO3P |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 72.2nC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.