Антава

ONSEMI

Транзистор FGA40T65SHD

FGA40T65SHD
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
134 W
Корпус
TO3P
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 395 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%732,88 ₽

Сумма · с НДС 22%732,88 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1732,88 ₽
от 10519,20 ₽
от 30421,73 ₽
от 120402,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGA40T65SHD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность134 W
КорпусTO3P
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72.2nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P

Документация

Документы пока не предоставлены.