Антава

ONSEMI

Транзистор FGA40N65SMD

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
174 W
Корпус
TO3P
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 57 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 046,13 ₽

Сумма · с НДС 22%1 046,13 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 046,13 ₽
от 10651,18 ₽
от 30620,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGA40N65SMD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation174 W
КорпусTO3P
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge119nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P

Документация

Документы пока не предоставлены.