Антава

INFINEON

Термистор FF900R12IE4

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
900 A
Корпус
AG-PRIME2-1
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF900R12IE4
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge, NTC thermistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current900 A
КорпусAG-PRIME2-1
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.8kA
Power dissipation5.1 kW
ТехнологияPrimePACK™ 2
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A

Документация

Документ производителя