Антава

INFINEON

Транзистор FF800R17KE3NOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
1.15kA
Gate-emitter voltage
±20 V
Power dissipation
4.45 kW
Технология
Field Stop, Trench
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF800R17KE3NOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current1.15kA
Gate-emitter voltage±20 V
Power dissipation4.45 kW
ТехнологияField Stop, Trench
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 1.15kA; 4.45kW; Field Stop,Trench

Документация

Документы пока не предоставлены.