Антава

INFINEON

Термистор FF650R17IE4DB2BOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Topology
NTC thermistor
Collector current
650 A
Gate-emitter voltage
±20 V
Pulsed collector current
1.3kA
Рассеиваемая мощность
4.15 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF650R17IE4DB2BOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
TopologyNTC thermistor
Collector current650 A
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.3kA
Рассеиваемая мощность4.15 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 650A; 4.15kW; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.