Антава

INFINEON

Транзистор FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
200 A
Корпус
AG-62MM-1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 16 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%23 419,82 ₽

Сумма · с НДС 22%23 419,82 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 123 419,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFF200R12KT4HOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current200 A
КорпусAG-62MM-1
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current400 A
Рассеиваемая мощность1.1 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

Документация

Документ производителя