Антава

INFINEON

Транзистор FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
common emitter, transistor/transistor
Topology
IGBT x2
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
200 A
Корпус
AG-62MM-1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF200R12KT3EHOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurecommon emitter, transistor/transistor
TopologyIGBT x2
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current200 A
КорпусAG-62MM-1
Electrical mountingFASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current400 A
Рассеиваемая мощность1.05 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2

Документация

Документ производителя