Антава

INFINEON

Транзистор FF200R12KE4HOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
200 A
Корпус
62MM
Gate-emitter voltage
±20 V
Рассеиваемая мощность
1.1 kW
Технология
Field Stop, Trench
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF200R12KE4HOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current200 A
Корпус62MM
Gate-emitter voltage±20 V
Рассеиваемая мощность1.1 kW
ТехнологияField Stop, Trench
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 200A; 62MM; 1.1kW; Field Stop,Trench

Документация

Документы пока не предоставлены.