INFINEON
Транзистор FF150R12KS4HOSA1
62MMИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Collector current
- 225 A
- Корпус
- 62MM
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
- Рассеиваемая мощность
- 1.25 kW
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | FF150R12KS4HOSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Collector current | 225 A |
| Корпус | 62MM |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 kW |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; Ic: 225A; 62MM; 1.25kW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.