Антава

INFINEON

Транзистор FF150R12KS4HOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
225 A
Корпус
62MM
Gate-emitter voltage
±20 V
Рассеиваемая мощность
1.25 kW

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяFF150R12KS4HOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current225 A
Корпус62MM
Gate-emitter voltage±20 V
Рассеиваемая мощность1.25 kW
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 225A; 62MM; 1.25kW

Документация

Документы пока не предоставлены.