Антава

INFINEON

Транзистор FF150R12KE3GHOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
150 A
Корпус
62MM
Gate-emitter voltage
±20 V
Рассеиваемая мощность
780 W
Технология
Field Stop, Trench
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF150R12KE3GHOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current150 A
Корпус62MM
Gate-emitter voltage±20 V
Рассеиваемая мощность780 W
ТехнологияField Stop, Trench
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 150A; 62MM; 780W; Field Stop,Trench

Документация

Документы пока не предоставлены.