Антава

INFINEON

Транзистор FF1200R17KE3NOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
1.6kA
Gate-emitter voltage
±20 V
Pulsed collector current
2.4kA
Рассеиваемая мощность
5.95 kW
Mechanical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFF1200R17KE3NOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current1.6kA
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current2.4kA
Рассеиваемая мощность5.95 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 1.6kA; 5.95kW; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.