Антава

VISHAY

Диод FESB16JT-M3/I

FESB16JT-M3/I
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.6 kV
Load current
16 A
Reverse recovery time
50ns
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFESB16JT-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.6 kV
Load current16 A
Reverse recovery time50ns
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesglass passivated, ultrafast switching
КорпусD2PAK, TO263AB
Max. forward impulse current250 A
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 600V; 16A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ifsm: 250A

Документация

Документы пока не предоставлены.