Антава

VISHAY

Диод FESB16GT-M3/I

FESB16GT-M3/I
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.4 kV
Load current
16 A
Reverse recovery time
50ns
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFESB16GT-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.4 kV
Load current16 A
Reverse recovery time50ns
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesglass passivated, ultrafast switching
КорпусD2PAK, TO263AB
Max. forward voltage1.3 V
Max. load current16 A
Max. forward impulse current250 A
Leakage current10 µA
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 400V; 16A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.3V

Документация

Документы пока не предоставлены.