Антава

VISHAY

Диод FES8JT-E3/45

FES8JT-E3/45
Type of diode
rectifying
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
0.6kV
Load current
8A
Semiconductor structure
single diode
Features of semiconductor devices
glass passivated, ultrafast switching
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFES8JT-E3/45
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage0.6kV
Load current8A
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesglass passivated, ultrafast switching
Ёмкость50pF
Max. forward impulse current125A
КорпусTO220AC
Kind of packagetube
Max. forward voltage1.5V
Leakage current0.5mA
Heatsink thickness1.14...1.39mm
Reverse recovery time50ns
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; Ifsm: 125A; TO220AC; tube; Ir: 500uA

Документация

Документы пока не предоставлены.