Антава

VISHAY

Диод FEPB16GT-M3/I

FEPB16GT-M3/I
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.4 kV
Load current
8 A x2
Reverse recovery time
50ns
Semiconductor structure
common cathode, double
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFEPB16GT-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.4 kV
Load current8 A x2
Reverse recovery time50ns
Semiconductor structurecommon cathode, double
Features of semiconductor devicesglass passivated, ultrafast switching
КорпусD2PAK, TO263AB
Max. forward voltage1.3 V
Max. forward impulse current125 A
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 400V; 8Ax2; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1.3V

Документация

Документы пока не предоставлены.