Антава

VISHAY

Диод FEPB16DT-M3/I

FEPB16DT-M3/I
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
200 V
Load current
8 A x2
Reverse recovery time
35ns
Semiconductor structure
common cathode, double
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFEPB16DT-M3/I
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage200 V
Load current8 A x2
Reverse recovery time35ns
Semiconductor structurecommon cathode, double
Features of semiconductor devicesglass passivated, ultrafast switching
КорпусD2PAK, TO263AB
Max. forward voltage0.95 V
Max. forward impulse current200 A
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK,TO263AB; Ifsm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.