Антава

VISHAY

Диод FEP30JP-M3/P

Фото уточняется
Type of diode
rectifying
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
0.6 kV
Load current
15 A x2
Semiconductor structure
common cathode, double
Features of semiconductor devices
glass passivated, ultrafast switching
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFEP30JP-M3/P
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage0.6 kV
Load current15 A x2
Semiconductor structurecommon cathode, double
Features of semiconductor devicesglass passivated, ultrafast switching
Max. forward impulse current0.3kA
КорпусTO247AD-3
Kind of packagetube
Max. forward voltage1.5 V
Max. load current30 A
Leakage current0.5 mA
Reverse recovery time50ns
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 600V; 15Ax2; Ifsm: 300A; TO247AD-3; tube

Документация

Документы пока не предоставлены.