VISHAY
Диод FEP16DT-E3/45
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 200 V
- Load current
- 8 A x2
- Semiconductor structure
- common cathode, double
- Features of semiconductor devices
- glass passivated, ultrafast switching
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 167 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%262,21 ₽
Сумма · с НДС 22%262,21 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 262,21 ₽ | |
| от 10 | 209,39 ₽ | |
| от 50 | 198,07 ₽ | |
| от 100 | 192,41 ₽ | |
| от 200 | 171,66 ₽ | |
| от 500 | 143,37 ₽ | |
| от 750 | 133,93 ₽ | |
| от 1000 | 132,05 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FEP16DT-E3/45 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 200 V |
| Load current | 8 A x2 |
| Semiconductor structure | common cathode, double |
| Features of semiconductor devices | glass passivated, ultrafast switching |
| Ёмкость | 85 pF |
| Max. forward impulse current | 200 A |
| Корпус | TO220AB |
| Kind of package | tube |
| Max. forward voltage | 0.95 V |
| Max. load current | 16 A |
| Leakage current | 0.5 mA |
| Heatsink thickness | 1.14...1.39mm |
| Reverse recovery time | 35ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 200V; 8Ax2; Ifsm: 200A; TO220AB; tube; 35ns
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.