Антава

ONSEMI

Транзистор FDWS9509L-F085

FDWS9509L-F085
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-65 A
Power dissipation
107 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDWS9509L-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-65 A
Power dissipation107 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge67nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.