Антава

ONSEMI

Транзистор FDV305N

FDV305N
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.9 A
Power dissipation
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDV305N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.9 A
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance303 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23

Документация

Документ производителя