Антава

ONSEMI

Транзистор FDV303N

FDV303N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
0.68 A
Power dissipation
0.35 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 272 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%56,26 ₽

Сумма · с НДС 22%56,26 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 156,26 ₽
от 1026,82 ₽
от 5021,83 ₽
от 10019,90 ₽
от 50015,73 ₽
от 100014,03 ₽
от 150013,07 ₽
от 300011,46 ₽
от 60009,92 ₽
от 90009,06 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDV303N
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current0.68 A
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23

Документация

Документ производителя