Антава

ONSEMI

Транзистор FDT86246

FDT86246
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
2.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDT86246
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation2.2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance236 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 8A; 2.2W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.