Антава

ONSEMI

Транзистор FDT4N50NZU

FDT4N50NZU
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDT4N50NZU
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current2 A
Pulsed drain current6 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; Idm: 6A; 2W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.