Антава

ONSEMI

Транзистор FDT458P

FDT458P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-3.4 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%225,94 ₽

Сумма · с НДС 22%225,94 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1225,94 ₽
от 10146,50 ₽
от 50104,19 ₽
от 10091,27 ₽
от 25078,18 ₽
от 50070,47 ₽
от 100065,27 ₽
от 200063,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDT458P
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-3.4 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.21 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 3W; SOT223

Документация

Документ производителя