Антава

ONSEMI

Транзистор FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3.5 A
Power dissipation
10.42 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%260,23 ₽

Сумма · с НДС 22%260,23 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1260,23 ₽
от 5195,27 ₽
от 10169,62 ₽
от 50122,71 ₽
от 100107,89 ₽
от 25091,94 ₽
от 50082,44 ₽
от 100075,22 ₽
от 200072,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDT1600N10ALZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3.5 A
Power dissipation10.42 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.