Антава

ONSEMI

Транзистор FDS9958

FDS9958
Type of transistor
P-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-2.9A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS9958
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-2.9A
Power dissipation2W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.19Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.9A; 2W; SO8

Документация

Документ производителя