Антава

ONSEMI

Транзистор FDS8949

FDS8949
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
6A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS8949
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current6A
Power dissipation2W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance43mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; 2W; SO8

Документация

Документ производителя