Антава

ONSEMI

Транзистор FDS89161

FDS89161
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2.7A
Power dissipation
31W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS89161
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current2.7A
Power dissipation31W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance176mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8

Документация

Документ производителя