Антава

ONSEMI

Транзистор FDS89141

FDS89141
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3.5 A
Рассеиваемая мощность
31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 803 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%434,25 ₽

Сумма · с НДС 22%434,25 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1434,25 ₽
от 3403,62 ₽
от 10383,80 ₽
от 25345,96 ₽
от 100344,16 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDS89141
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3.5 A
Рассеиваемая мощность31 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.107 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; 31W; SO8

Документация

Документ производителя