Антава

ONSEMI

Транзистор FDS8896

FDS8896
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
15A
Pulsed drain current
110A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS8896
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current15A
Pulsed drain current110A
Power dissipation2.5W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge67nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.