Антава

ONSEMI

Транзистор FDS8858CZ

FDS8858CZ
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Kind of transistor
complementary pair
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
8.6/-7.3 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS8858CZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Kind of transistorcomplementary pair
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current8.6/-7.3 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25/±20 V
On-state resistance28.8/24.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46/24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V

Документация

Документы пока не предоставлены.