Антава

ONSEMI

Транзистор FDS86141

FDS86141
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
7 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS86141
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current7 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя