Антава

ONSEMI

Транзистор FDS6898A

FDS6898A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
9.4A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS6898A
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current9.4A
Power dissipation2W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12V
On-state resistance21mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.4A; 2W; SO8

Документация

Документ производителя