Антава

ONSEMI

Транзистор FDS6681Z

FDS6681Z
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 196 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%591,09 ₽

Сумма · с НДС 22%591,09 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1591,09 ₽
от 5466,16 ₽
от 10408,35 ₽
от 50296,48 ₽
от 100261,05 ₽
от 250227,49 ₽
от 500212,57 ₽
от 1000205,11 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDS6681Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-20 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance6.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя