Антава

ONSEMI

Транзистор FDS6679AZ

FDS6679AZ
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-13A
Power dissipation
2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS6679AZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-13A
Power dissipation2.5W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25V
On-state resistance14.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge96nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя