Антава

ONSEMI

Транзистор FDS6675BZ

FDS6675BZ
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-11A
Power dissipation
2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS6675BZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-11A
Power dissipation2.5W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25V
On-state resistance21.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя