Антава

ONSEMI

Транзистор FDS6673BZ

FDS6673BZ
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-14.5 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS6673BZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-14.5 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя