ONSEMI
Транзистор FDS6375
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Technology
- PowerTrench®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -8 A
- Power dissipation
- 2.5 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FDS6375 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | PowerTrench® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -8 A |
| Power dissipation | 2.5 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±8 V |
| On-state resistance | 39 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 36nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.