Антава

ONSEMI

Транзистор FDS4935BZ

FDS4935BZ
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-6.9 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS4935BZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-6.9 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8

Документация

Документ производителя