Антава

ONSEMI

Транзистор FDS4685

FDS4685
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-8.2 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 592 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%206,26 ₽

Сумма · с НДС 22%206,26 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1206,26 ₽
от 5139,31 ₽
от 10119,95 ₽
от 50113,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFDS4685
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-8.2 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя