Антава

ONSEMI

Транзистор FDS4435BZ

FDS4435BZ
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PowerTrench®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-8.8 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFDS4435BZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-8.8 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance35 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8

Документация

Документ производителя