Антава

ONSEMI

Транзистор FDS3580

FDS3580
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
7.6A
Pulsed drain current
50A
Power dissipation
2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDS3580
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current7.6A
Pulsed drain current50A
Power dissipation2.5W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance29mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A; 2.5W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.