ONSEMI
Транзистор FDS2670
Фото недоступно- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200V
- Drain current
- 3A
- Pulsed drain current
- 20A
- Power dissipation
- 2.5W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FDS2670 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200V |
| Drain current | 3A |
| Pulsed drain current | 20A |
| Power dissipation | 2.5W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 275mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 43nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.