Антава

ONSEMI

Транзистор FDPC8013S

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
20/55A
Power dissipation
1.6/2W
Корпус
PQFN8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDPC8013S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current20/55A
Power dissipation1.6/2W
КорпусPQFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6.4/1.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13/44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Semiconductor structureasymmetric
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 20/55A; 1.6/2W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.