ONSEMI
Транзистор FDPC5030SG
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 56/84 A
- Power dissipation
- 23/25 W
- Корпус
- PQFN8
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FDPC5030SG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 56/84 A |
| Power dissipation | 23/25 W |
| Корпус | PQFN8 |
| Gate-source voltage | ±20/±12 V |
| On-state resistance | 5/2.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 17/39nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Semiconductor structure | asymmetric |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.