Антава

ONSEMI

Транзистор FDP8N50NZ

FDP8N50NZ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
4.8 A
Power dissipation
130 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFDP8N50NZ
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current4.8 A
Power dissipation130 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.